Power - Max :
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
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IMMAGINE PARTE N. PREZZO QUANTITÀ AZIONE PRODUZIONE DESCRIZIONE Series Part Status Packaging Operating Temperature Mounting Type Package / Case Power - Max Supplier Device Package FET Type FET Feature Drain to Source Voltage (Vdss) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
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Per unità
$304.68
RFQ
24,480
Spedisce oggi + trasporto libero durante la notte
Microsemi Corporation POWER MODULE - SIC - Active Bulk -40°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount SP6 714W SP6 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 112A (Tc) 33 mOhm @ 60A, 20V 3V @ 3mA 408nC @ 20V 7680pF @ 1000V
APTMC120TAM33CTPAG
Per unità
$430.31
RFQ
42,580
Spedisce oggi + trasporto libero durante la notte
Microsemi Corporation MOSFET 6N-CH 1200V 78A SP6-P - Active Bulk -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SP6 370W SP6-P 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Standard 1200V (1.2kV) 78A 33 mOhm @ 60A, 20V 2.2V @ 3mA (Typ) 148nC @ 20V 2850pF @ 1000V
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