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IMMAGINE PARTE N. PREZZO QUANTITÀ AZIONE PRODUZIONE DESCRIZIONE Series Part Status Packaging Operating Temperature Mounting Type Package / Case Power - Max Supplier Device Package FET Type FET Feature Drain to Source Voltage (Vdss) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C Rds On (Max) @ Id, Vgs Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
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Renesas Electronics America MOSFET 2N-CH 20V 4A 6SON - Active Tape & Reel (TR) 150°C (TJ) Surface Mount 6-PowerWDFN 2.3W 6-HUSON (2x2) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate, 2.5V Drive 20V 4A 62 mOhm @ 2A, 4.5V 4.5nC @ 10V 330pF @ 10V
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