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| IMMAGINE | PARTE N. | PREZZO | QUANTITÀ | AZIONE | PRODUZIONE | DESCRIZIONE | Part Status | Packaging | Operating Temperature | Mounting Type | Package / Case | Power - Max | Supplier Device Package | FET Type | FET Feature | Drain to Source Voltage (Vdss) | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | |
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46,940
Spedisce oggi + trasporto libero durante la notte
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Microsemi Corporation | POWER MODULE - SIC MOSFET | Active | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | Module | 125W | SP3 | 2 N-Channel (Dual) | Standard | 1200V (1.2kV) | 26A (Tc) | 98 mOhm @ 20A, 20V | 3V @ 5mA | 62nC @ 20V | 950pF @ 1000V |
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