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IMMAGINE PARTE N. PREZZO QUANTITÀ AZIONE PRODUZIONE DESCRIZIONE Series Part Status Packaging Operating Temperature Mounting Type Package / Case Power - Max FET Type FET Feature Drain to Source Voltage (Vdss) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
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Per unità
$304.68
RFQ
24,480
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Microsemi Corporation POWER MODULE - SIC - Active Bulk -40°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount SP6 714W 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 112A (Tc) 33 mOhm @ 60A, 20V 3V @ 3mA 408nC @ 20V 7680pF @ 1000V
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